DTA123JET1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 0.15W/150mW SOT-523/SC-75 标记6M 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V
\---|---
集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V
集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A
基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 2.2KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 47KΩ/Ohm
电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 0.047
直流电流增益hFE DC Current GainhFE|
截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz
耗散功率Pc Power Dissipation| 0.15W/150mW
Description & Applications| Features •Built-In Biasing Resistors •Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors see equivalent circuit. •The bias resistors consist of thin-film resistors with complete isolation to allow negative biasing of the input. They also have the advantage of completely eliminating parasitic effects. •Only the on/off conditions need to be set for operation, making the circuit design easy. •Complementary NPN Types :DTC123J series •Complex transistors :EMB10/ UMB10N/ IMB10A Inner circuit / EMA5/ UMA5N/ FMA5A (PNP type) •Lead Free/RoHS Compliant. Application Switching circuit, Inverter circuit, Interface circuit, Driver circuit
描述与应用| 特点 •内置偏置电阻 •内置偏置电阻,可配置逆变电路没有连接外部 输入电阻(见等效电路)。 •偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离,允许负偏置输入的。它们还具有的优点是完全消除了寄生效应。 •只有开/关条件需要设置操作,使得电路的设计容易。 •互补NPN类型:DTC123J系列 •复杂的:EMB10 UMB10N// IMB10A的内部电路 / EMA5/ UMA5N的/ FMA5A的(PNP型) •无铅/ RoHS标准。 应用 开关电路,逆变电路,接口电路,驱动器电路
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SC-75-3
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.75 mm
封装 SC-75-3
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
DTA123JET1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
DTA123JET1G 安森美 | 类似代替 | DTA123JET1和DTA123JET1G的区别 |
DTA123JETL 罗姆半导体 | 功能相似 | DTA123JET1和DTA123JETL的区别 |
DTA123JM3T5G 安森美 | 功能相似 | DTA123JET1和DTA123JM3T5G的区别 |