DME501010R参数规格_中文资料_数据手册PDF

DME501010R概述

SMini5-F3-B NPN+PNP 50V 0.1A

Bipolar BJT Transistor Array NPN, PNP Emitter Coupled 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini5-F3-B

得捷:
TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI5

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm

DeviceMart:
TRANS ARRAY NPN/PNP 50V SMINI5

DME501010R中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

增益频宽积 150 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 210 @2mA, 10V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMini5-F3-B

外形尺寸

封装 SMini5-F3-B

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DME501010R引脚图与封装图

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型号： DME501010R

描述：SMini5-F3-B NPN+PNP 50V 0.1A