DMG504010R参数规格_中文资料_数据手册PDF

DMG504010R概述

SMini6-F3-B NPN+PNP 50V 0.1A

Bipolar BJT Transistor Array NPN, PNP 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount

得捷:
TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

DeviceMart:
TRANS ARRAY NPN/PNP 50V SMINI6

DMG504010R中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 210 @2mA, 10V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMini6-F3-B

外形尺寸

封装 SMini6-F3-B

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DMG504010R引脚图与封装图

在线购买DMG504010R

型号： DMG504010R

描述：SMini6-F3-B NPN+PNP 50V 0.1A

替代型号DMG504010R

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

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当前型号

DMC504010R

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