DMG564060R参数规格_中文资料_数据手册PDF

DMG564060R概述

双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini6-F3-B

得捷:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm

安富利:
COMPOSITE TRANSISTOR WITH BUILT-IN RE

DMG564060R中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SMini6-F3-B

外形尺寸

封装 SMini6-F3-B

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DMG564060R引脚图与封装图

在线购买DMG564060R

型号： DMG564060R

描述：双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm