DMC5610E0R参数规格_中文资料_数据手册PDF

DMC5610E0R概述

2个NPN-预偏置 100mA 50V

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini5-F3-B

得捷:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5

立创商城:
2个NPN-预偏置 100mA 50V

安富利:
COMPOSITE TRANSISTOR WITH BUILT-IN RE

DMC5610E0R中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SMini5-F3-B

外形尺寸

封装 SMini5-F3-B

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DMC5610E0R引脚图与封装图

在线购买DMC5610E0R

型号： DMC5610E0R

描述：2个NPN-预偏置 100mA 50V