DMG563H50R参数规格_中文资料_数据手册PDF

DMG563H50R概述

SMini5-F3-B NPN+PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini5-F3-B

得捷:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

安富利:
COMPOSITE TRANSISTOR WITH BUILT-IN RE

Win Source:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

DMG563H50R中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMini5-F3-B

外形尺寸

封装 SMini5-F3-B

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DMG563H50R引脚图与封装图

在线购买DMG563H50R

型号： DMG563H50R

描述：SMini5-F3-B NPN+PNP 50V 100mA