DMG214010R参数规格_中文资料_数据手册PDF

DMG214010R概述

Mini6-G4-B NPN+PNP 50V 100mA

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 1 PNP 预偏压式，1 NPN 50V 100mA 150MHz 300mW 表面贴装型迷你型6-G4-B

得捷:
TRANS PNP PREBIAS/NPN 0.3W MINI6

DeviceMart:
TRANS ARRAY NPN/PNP W/RES MINI6

DMG214010R中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

额定功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-6

外形尺寸

封装 SOT-23-6

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DMG214010R引脚图与封装图

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型号： DMG214010R

描述：Mini6-G4-B NPN+PNP 50V 100mA