DMG963H50R参数规格_中文资料_数据手册PDF

DMG963H50R概述

双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 125mW Surface Mount SSMini5-F4-B

得捷:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 5-Pin SSMini5-F4-B T/R

DMG963H50R中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 125 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SSMini5-F4-B

外形尺寸

封装 SSMini5-F4-B

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DMG963H50R引脚图与封装图

在线购买DMG963H50R

型号： DMG963H50R

描述：双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm