DE275X2-102N06A概述
IXYS RF DE275X2-102N06A 晶体管, 射频FET, 1 kV, 16 A, 1.18 kW, 100 MHz, DE-275X2
是一款配对射频功率MOSFET器件, 共源配置. 该器件适用于射频发生器和放大器推挽式或并行工作, 频率至>65MHz, 低插入电感, 隔离层具有出色的热传导性能. 低栅极电荷与电容, 易于驱动, 不含氧化铍或其他有害物质.
- .
- N沟道增强模式
- .
- 常见源推挽对
- .
- 低Qg和Rg
- .
- 高dv/dt等级
- .
- 纳秒开关
- .
- 低插入电感
DE275X2-102N06A中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
极性 N-Channel
耗散功率 1.18 kW
漏源极电压Vds 1 kV
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 2.00 ns
输入电容Ciss 1800pF @800VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DE-275X2
外形尺寸
封装 DE-275X2
其他
产品生命周期 Active
制造应用 射频通信, RF Communications
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买DE275X2-102N06A
型号： DE275X2-102N06A
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：IXYS RF DE275X2-102N06A 晶体管, 射频FET, 1 kV, 16 A, 1.18 kW, 100 MHz, DE-275X2