DMG3414U概述
DIODES INC. DMG3414U 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 4.2 A, 20 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 500 mV
The is a N-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard.
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- Low ON-resistance
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- Low input capacitance
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- Fast switching speed
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- Low input/output leakage
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- Halogen-free, Green device
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- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
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- Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
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- UL94V-0 Flammability rating
DMG3414U中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.019 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 780 mW
阈值电压 500 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 4.2A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Aerospace, Automotive, Power Management, Defence, Military
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
军工级 Yes
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买DMG3414U
型号： DMG3414U
制造商：
Vishay Semiconductor
威世
描述：DIODES INC. DMG3414U 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 4.2 A, 20 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 500 mV