DMP3056LDM

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DMP3056LDM概述

DIODES INC.  DMP3056LDM  晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -5 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1 V

The is a P-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. It is designed to minimize the ON-state resistance RDS ON and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

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Low gate threshold voltage
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Low ON-resistance
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Halogen-free, Green device
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Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
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UL94V-0 Flammability rating
DMP3056LDM中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.045 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.25 mW

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 5A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 SOT-26

外形尺寸

封装 SOT-26

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Aerospace, Power Management, Defence, Military

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

军工级 Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: DMP3056LDM
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:DIODES INC.  DMP3056LDM  晶体管, MOSFET, 增强模式, P沟道, -5 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -1 V

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