MICROCHIP DN3535N8-G 晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 350 V, 10 ohm, 0 V
Supertex N 通道耗尽型 MOSFET
的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。
### 特点
高输入阻抗
低输入电容
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏
### 典型应用
常开开关
固态继电器
转换器
线性放大器
恒定电流源
电源电路
电信
额定功率 1.6 W
针脚数 3
漏源极电阻 10 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.6 W
输入电容 360 pF
漏源极电压Vds 350 V
连续漏极电流Ids 0.23A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 360pF @25VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
长度 4.6 mm
宽度 2.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-89-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Communications & Networking, 电源管理, 通信与网络
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DN3535N8-G Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
DN3535N8 超科 | 功能相似 | DN3535N8-G和DN3535N8的区别 |