DN2535N3-G参数规格_中文资料_数据手册PDF

DN2535N3-G概述

MICROCHIP DN2535N3-G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 350 V, 17 ohm, 0 V

Supertex N 通道耗尽型 MOSFET

的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。

### 特点

高输入阻抗

低输入电容

切换速度快

低接通电阻

无次级击穿

低输入和输出泄漏

### 典型应用

常开开关

固态继电器

转换器

线性放大器

恒定电流源

电源电路

电信

### MOSFET 晶体管，Microchip

DN2535N3-G中文资料参数规格

技术参数

额定功率 1 W

针脚数 3

漏源极电阻 17 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 350 V

连续漏极电流Ids 0.12A

输入电容Ciss 200pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bag

制造应用 Power Management, Communications & Networking, 电源管理, 通信与网络

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

DN2535N3-G引脚图与封装图

在线购买DN2535N3-G

型号： DN2535N3-G

制造商： Microchip 微芯

描述：MICROCHIP DN2535N3-G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 350 V, 17 ohm, 0 V

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替代型号DN2535N3-G

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