DS1250Y-100IND+参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1250Y-100IND+概述

IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32DIP

Memory IC 4Mb 512K x 8 Parallel 100ns

得捷:
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

立创商城:
DS1250Y 100IND+

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 5V 32-Pin EDIP

DS1250Y-100IND+中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 4000000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube, Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1250Y-100IND+引脚图与封装图

在线购买DS1250Y-100IND+

型号： DS1250Y-100IND+

描述：IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32DIP

替代型号DS1250Y-100IND+