DS1250W-100+

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DS1250W-100+概述

IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32DIP

Memory IC 4Mb 512K x 8 Parallel 100ns


得捷:
IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP


安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 3.3V 32-Pin EDIP


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 3.3V 32-Pin EDIP


DS1250W-100+中文资料参数规格
技术参数

存取时间 100 ns

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 EDIP-32

外形尺寸

封装 EDIP-32

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

DS1250W-100+引脚图与封装图
DS1250W-100+引脚图
DS1250W-100+封装图
DS1250W-100+封装焊盘图
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型号: DS1250W-100+
描述:IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32DIP
替代型号DS1250W-100+
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DS1250W-100+

Maxim Integrated 美信

当前型号

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DS1250W-100IND+

美信

完全替代

DS1250W-100+和DS1250W-100IND+的区别

DS1250W-100

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完全替代

DS1250W-100+和DS1250W-100的区别

DS1250W-100IND

美信

类似代替

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