DS1265W-150+

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DS1265W-150+概述

IC NVSRAM 8Mbit 150NS 36DIP

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 8Mb(1M x 8) 并联 150 ns 36-EDIP


得捷:
IC NVSRAM NS 8MBIT PAR 36EDIP


安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 8M-Bit 3.3V 36-Pin EDIP


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 8M-Bit 3.3V 36-Pin EDIP


DS1265W-150+中文资料参数规格
技术参数

存取时间 150 ns

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 EDIP-36

外形尺寸

封装 EDIP-36

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

DS1265W-150+引脚图与封装图
DS1265W-150+引脚图
DS1265W-150+封装图
DS1265W-150+封装焊盘图
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型号: DS1265W-150+
描述:IC NVSRAM 8Mbit 150NS 36DIP
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DS1265W-150+

Maxim Integrated 美信

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DS1265W-150

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完全替代

DS1265W-150+和DS1265W-150的区别

DS1265W-100IND+

美信

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