DS1230Y-150

DS1230Y-150图片1
DS1230Y-150图片2
DS1230Y-150图片3
DS1230Y-150图片4
DS1230Y-150图片5
DS1230Y-150概述

IC NVSRAM 256Kbit 150NS 28DIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 256Kb 32K x 8 Parallel 150ns 28-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP


DS1230Y-150中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 150 GHz

存取时间 150 ns

内存容量 32000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1230Y-150引脚图与封装图
DS1230Y-150引脚图
DS1230Y-150封装图
DS1230Y-150封装焊盘图
在线购买DS1230Y-150
型号: DS1230Y-150
描述:IC NVSRAM 256Kbit 150NS 28DIP
替代型号DS1230Y-150
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DS1230Y-150

Maxim Integrated 美信

当前型号

当前型号

DS1230Y-150+

美信

完全替代

DS1230Y-150和DS1230Y-150+的区别

DS1230Y-70+

美信

类似代替

DS1230Y-150和DS1230Y-70+的区别

DS1230AB-150+

美信

类似代替

DS1230Y-150和DS1230AB-150+的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台