DS1230Y-200参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1230Y-200概述

IC NVSRAM 256Kbit 200NS 28DIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 256Kb 32K x 8 Parallel 200ns 28-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

贸泽:
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin EDIP

DS1230Y-200中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 200 GHz

存取时间 200 ns

内存容量 32000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 EDIP-28

外形尺寸

长度 39.12 mm

宽度 18.8 mm

高度 9.4 mm

封装 EDIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1230Y-200引脚图与封装图

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型号： DS1230Y-200

描述：IC NVSRAM 256Kbit 200NS 28DIP

替代型号DS1230Y-200