DS1245Y-100参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1245Y-100概述

IC NVSRAM 1Mbit 100NS 32DIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 100ns 32-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP

罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP

DS1245Y-100中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 125000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1245Y-100引脚图与封装图

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型号： DS1245Y-100

描述：IC NVSRAM 1Mbit 100NS 32DIP

替代型号DS1245Y-100