DS1230Y-120参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1230Y-120概述

256K非易失SRAM 256k Nonvolatile SRAM

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 256Kb 32K x 8 Parallel 120ns 28-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

贸泽:
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM

DS1230Y-120中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 120 GHz

存取时间 120 ns

内存容量 32000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

长度 39.12 mm

宽度 18.8 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1230Y-120引脚图与封装图

在线购买DS1230Y-120

型号： DS1230Y-120

描述：256K非易失SRAM 256k Nonvolatile SRAM

替代型号DS1230Y-120