DS1230AB-100参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1230AB-100概述

IC NVSRAM 256Kbit 100NS 28DIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 256Kb 32K x 8 Parallel 100ns 28-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

贸泽:
NVRAM

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin EDIP

罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin EDIP

DS1230AB-100中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

负载电容 5.00 pF

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 32000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

长度 39.12 mm

宽度 18.8 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1230AB-100引脚图与封装图

在线购买DS1230AB-100

型号： DS1230AB-100

描述：IC NVSRAM 256Kbit 100NS 28DIP

替代型号DS1230AB-100