DS1230Y-100

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DS1230Y-100概述

IC NVSRAM 256Kbit 100NS 28DIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 256Kb 32K x 8 Parallel 100ns 28-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin EDIP


DS1230Y-100中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

负载电容 5.00 pF

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 32000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1230Y-100引脚图与封装图
DS1230Y-100引脚图
DS1230Y-100封装图
DS1230Y-100封装焊盘图
在线购买DS1230Y-100
型号: DS1230Y-100
描述:IC NVSRAM 256Kbit 100NS 28DIP
替代型号DS1230Y-100
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DS1230Y-100

Maxim Integrated 美信

当前型号

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DS1230Y-100+

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