DS1225AB-150参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1225AB-150概述

8k x 8 非易失性 SRAM

Memory IC 64Kb 8K x 8 Parallel 150ns 28-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP

贸泽:
NVRAM

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin EDIP

罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin EDIP

力源芯城:
8k x 8 非易失性 SRAM

DS1225AB-150中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

负载电容 5.00 pF

时钟频率 150 GHz

存取时间 150 ns

内存容量 8000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 EDIP-28

外形尺寸

长度 39.12 mm

宽度 18.29 mm

高度 9.4 mm

封装 EDIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1225AB-150引脚图与封装图

在线购买DS1225AB-150

型号： DS1225AB-150

描述：8k x 8 非易失性 SRAM

替代型号DS1225AB-150