DS1225AB-150IND

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DS1225AB-150IND概述

IC NVSRAM 64Kbit 150NS 28DIP

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 64Kb(8K x 8) 并联 28-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin EDIP


罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin EDIP


DS1225AB-150IND中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.75V min

时钟频率 150 GHz

存取时间 150 ns

内存容量 8000 B

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1225AB-150IND引脚图与封装图
DS1225AB-150IND引脚图
DS1225AB-150IND封装图
DS1225AB-150IND封装焊盘图
在线购买DS1225AB-150IND
型号: DS1225AB-150IND
描述:IC NVSRAM 64Kbit 150NS 28DIP
替代型号DS1225AB-150IND
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DS1225AB-150IND

Maxim Integrated 美信

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