DS1245AB-85参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1245AB-85概述

IC NVSRAM 1Mbit 85NS 32DIP

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 1Mb（128K x 8）并联 32-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

贸泽:
NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP

罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP

DS1245AB-85中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

时钟频率 85.0 GHz

存取时间 85 ns

内存容量 1000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

长度 43.69 mm

宽度 18.8 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

DS1245AB-85引脚图与封装图

在线购买DS1245AB-85

型号： DS1245AB-85

描述：IC NVSRAM 1Mbit 85NS 32DIP

替代型号DS1245AB-85