DS1225AD-200IND参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1225AD-200IND概述

IC NVSRAM 64Kbit 200NS 28DIP

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 64Kb（8K x 8）并联 200 ns 28-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP

贸泽:
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM

DS1225AD-200IND中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 200 GHz

存取时间 200 ns

内存容量 8000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

长度 39.12 mm

宽度 18.29 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1225AD-200IND引脚图与封装图

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型号： DS1225AD-200IND

描述：IC NVSRAM 64Kbit 200NS 28DIP

替代型号DS1225AD-200IND