DS1225AD-200

DS1225AD-200图片1
DS1225AD-200图片2
DS1225AD-200图片3
DS1225AD-200图片4
DS1225AD-200图片5
DS1225AD-200概述

Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0.72INCH, EXTENDED, DIP-28

Memory IC 64Kb 8K x 8 Parallel 200ns 28-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP


贸泽:
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM


Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin EDIP


DS1225AD-200中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

负载电容 5.00 pF

时钟频率 200 GHz

存取时间 200 ns

内存容量 8000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 EDIP-28

外形尺寸

长度 39.12 mm

宽度 18.29 mm

高度 9.4 mm

封装 EDIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1225AD-200引脚图与封装图
DS1225AD-200引脚图
DS1225AD-200封装图
DS1225AD-200封装焊盘图
在线购买DS1225AD-200
型号: DS1225AD-200
描述:Non-Volatile SRAM Module, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0.72INCH, EXTENDED, DIP-28
替代型号DS1225AD-200
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DS1225AD-200

Maxim Integrated 美信

当前型号

当前型号

DS1225AD-200+

美信

完全替代

DS1225AD-200和DS1225AD-200+的区别

DS1225AB-200+

美信

类似代替

DS1225AD-200和DS1225AB-200+的区别

DS1225AD-200IND+

美信

类似代替

DS1225AD-200和DS1225AD-200IND+的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台