DS1245W-100参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1245W-100概述

NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3.3V 32Pin EDIP

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 1Mb（128K x 8）并联 32-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 3.3V 32-Pin EDIP

DS1245W-100中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 1000000 B

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1245W-100引脚图与封装图

在线购买DS1245W-100

型号： DS1245W-100

描述：NVRAM NVSRAM Parallel 1Mbit 3.3V 32Pin EDIP

替代型号DS1245W-100