DS1245AB-120IND

DS1245AB-120IND图片1
DS1245AB-120IND图片2
DS1245AB-120IND图片3
DS1245AB-120IND概述

IC NVSRAM 1Mbit 120NS 32DIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 120ns 32-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP


DS1245AB-120IND中文资料参数规格
技术参数

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 EDIP-32

外形尺寸

封装 EDIP-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

DS1245AB-120IND引脚图与封装图
DS1245AB-120IND引脚图
DS1245AB-120IND封装图
DS1245AB-120IND封装焊盘图
在线购买DS1245AB-120IND
型号: DS1245AB-120IND
描述:IC NVSRAM 1Mbit 120NS 32DIP
替代型号DS1245AB-120IND
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DS1245AB-120IND

Maxim Integrated 美信

当前型号

当前型号

DS1245AB-120+

美信

类似代替

DS1245AB-120IND和DS1245AB-120+的区别

DS1245AB-70IND+

美信

类似代替

DS1245AB-120IND和DS1245AB-70IND+的区别

DS1245AB-120IND+

美信

类似代替

DS1245AB-120IND和DS1245AB-120IND+的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台