DS1245Y-70IND参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1245Y-70IND概述

1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAM

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 70ns 32-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP

DS1245Y-70IND中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

负载电容 5.00 pF

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70.0 ns

内存容量 125000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

DS1245Y-70IND引脚图与封装图

在线购买DS1245Y-70IND

型号： DS1245Y-70IND

描述：1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAM

替代型号DS1245Y-70IND