IC NVSRAM 256Kbit 120NS 28DIP
NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 256Kb 32K x 8 Parallel 120ns 28-EDIP
得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
贸泽:
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max
时钟频率 120 GHz
存取时间 120 ns
内存容量 256000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.25V
电源电压Max 5.25 V
电源电压Min 4.75 V
安装方式 Through Hole
引脚数 28
封装 EDIP-28
长度 39.12 mm
宽度 18.8 mm
高度 9.4 mm
封装 EDIP-28
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DS1230AB-120IND Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1230Y-120+ 美信 | 类似代替 | DS1230AB-120IND和DS1230Y-120+的区别 |
DS1230AB-120+ 美信 | 类似代替 | DS1230AB-120IND和DS1230AB-120+的区别 |
DS1230AB-70IND+ 美信 | 类似代替 | DS1230AB-120IND和DS1230AB-70IND+的区别 |