DS1220AD-200IND参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1220AD-200IND概述

IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 16Kb 2K x 8 Parallel 200ns 24-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

DS1220AD-200IND中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 200 GHz

存取时间 200 ns

内存容量 2000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 24

封装 DIP-24

外形尺寸

封装 DIP-24

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1220AD-200IND引脚图与封装图

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型号： DS1220AD-200IND

描述：IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIP

替代型号DS1220AD-200IND