DS1220AD-200

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DS1220AD-200概述

IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 16Kb 2K x 8 Parallel 200ns 24-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP


罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 16K-Bit 5V 24-Pin EDIP


DS1220AD-200中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 200 GHz

存取时间 200 ns

内存容量 2000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 24

封装 DIP-24

外形尺寸

封装 DIP-24

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1220AD-200引脚图与封装图
DS1220AD-200引脚图
DS1220AD-200封装图
DS1220AD-200封装焊盘图
在线购买DS1220AD-200
型号: DS1220AD-200
描述:IC NVSRAM 16Kbit 200NS 24DIP
替代型号DS1220AD-200
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

DS1220AD-200

Maxim Integrated 美信

当前型号

当前型号

DS1220AD-200+

美信

完全替代

DS1220AD-200和DS1220AD-200+的区别

DS1220AD-200IND+

美信

完全替代

DS1220AD-200和DS1220AD-200IND+的区别

M48Z12-200PC1

意法半导体

完全替代

DS1220AD-200和M48Z12-200PC1的区别

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