DS1220AD-100IND参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1220AD-100IND概述

16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 16Kb 2K x 8 Parallel 100ns 24-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

贸泽:
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM

DS1220AD-100IND中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 2000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 24

封装 DIP-24

外形尺寸

长度 38.1 mm

宽度 18.8 mm

高度 10.67 mm

封装 DIP-24

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

DS1220AD-100IND引脚图与封装图

在线购买DS1220AD-100IND

型号： DS1220AD-100IND

描述：16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM

替代型号DS1220AD-100IND