DS1265AB-70IND参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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DS1265AB-70IND概述

IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP

Memory IC 8Mb 1M x 8 Parallel 70ns 36-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

贸泽:
NVRAM 8M NV SRAM

DS1265AB-70IND中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70 ns

内存容量 8000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 36

封装 EDIP-36

外形尺寸

长度 53.34 mm

宽度 18.8 mm

高度 10.29 mm

封装 EDIP-36

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

DS1265AB-70IND引脚图与封装图

DS1265AB-70IND引脚图

DS1265AB-70IND封装图

DS1265AB-70IND封装焊盘图

在线购买DS1265AB-70IND

型号： DS1265AB-70IND

制造商： Maxim Integrated 美信

描述：IC NVSRAM 8Mbit 70NS 36DIP

替代型号DS1265AB-70IND

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DS1265AB-70IND Maxim Integrated 美信	当前型号	当前型号
DS1265AB-70IND+ 美信	类似代替	DS1265AB-70IND和DS1265AB-70IND+的区别
DS1265Y-70+ 美信	类似代替	DS1265AB-70IND和DS1265Y-70+的区别
DS1265W-100 美信	类似代替	DS1265AB-70IND和DS1265W-100的区别