DS1250AB-100参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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DS1250AB-100图片3

DS1250AB-100概述

IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIP

Memory IC 4Mb 512K x 8 Parallel 100ns

得捷:
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

贸泽:
NVRAM 4096K NV SRAM

罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 5V 32-Pin EDIP

DS1250AB-100中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 4000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

长度 43.69 mm

宽度 18.8 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube, Rail

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

DS1250AB-100引脚图与封装图

DS1250AB-100引脚图

DS1250AB-100封装图

DS1250AB-100封装焊盘图

在线购买DS1250AB-100

型号： DS1250AB-100

制造商： Maxim Integrated 美信

描述：IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIP

替代型号DS1250AB-100

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DS1250AB-100 Maxim Integrated 美信	当前型号	当前型号
DS1250AB-100IND 美信	完全替代	DS1250AB-100和DS1250AB-100IND的区别
DS1250Y-100+ 美信	类似代替	DS1250AB-100和DS1250Y-100+的区别
DS1250AB-70+ 美信	类似代替	DS1250AB-100和DS1250AB-70+的区别