DS1225AD-150IND参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

DS1225AD-150IND图片1

DS1225AD-150IND图片2

DS1225AD-150IND图片3

DS1225AD-150IND图片4

DS1225AD-150IND概述

IC NVSRAM 64Kbit 150NS 28DIP

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 64Kb（8K x 8）并联 28-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP

DS1225AD-150IND中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

负载电容 5.00 pF

时钟频率 150 GHz

存取时间 150 ns

内存容量 64000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

DS1225AD-150IND引脚图与封装图

DS1225AD-150IND引脚图

DS1225AD-150IND封装图

DS1225AD-150IND封装焊盘图

在线购买DS1225AD-150IND

型号： DS1225AD-150IND

制造商： Maxim Integrated 美信

描述：IC NVSRAM 64Kbit 150NS 28DIP

替代型号DS1225AD-150IND

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DS1225AD-150IND Maxim Integrated 美信	当前型号	当前型号
DS1225AD-150IND+ 美信	完全替代	DS1225AD-150IND和DS1225AD-150IND+的区别
DS1225Y-150IND+ 美信	完全替代	DS1225AD-150IND和DS1225Y-150IND+的区别
DS1225AD-150+ 美信	类似代替	DS1225AD-150IND和DS1225AD-150+的区别