DS1230AB-200IND参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1230AB-200IND概述

IC NVSRAM 256Kbit 200NS 28DIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 256Kb 32K x 8 Parallel 200ns 28-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

Win Source:
256k Nonvolatile SRAM

DS1230AB-200IND中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

时钟频率 200 GHz

存取时间 200 ns

内存容量 256000 B

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube, Rail

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

DS1230AB-200IND引脚图与封装图

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型号： DS1230AB-200IND

描述：IC NVSRAM 256Kbit 200NS 28DIP

替代型号DS1230AB-200IND