IC NVSRAM 4Mbit 150NS 32DIP
Memory IC 4Mb 512K x 8 Parallel 150ns
得捷:
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
贸泽:
NVRAM 3.3V 4096K NV SRAM
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 150 GHz
存取时间 150 ns
内存容量 4000000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
安装方式 Through Hole
引脚数 32
封装 DIP-32
长度 43.69 mm
宽度 18.8 mm
高度 9.4 mm
封装 DIP-32
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DS1250W-150 Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1250W-150+ 美信 | 完全替代 | DS1250W-150和DS1250W-150+的区别 |
DS1250W-100+ 美信 | 功能相似 | DS1250W-150和DS1250W-100+的区别 |
W150 美信 | 功能相似 | DS1250W-150和W150的区别 |