DS1220AB-100IND参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

DS1220AB-100IND图片1

DS1220AB-100IND图片2

DS1220AB-100IND图片3

DS1220AB-100IND概述

16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM

Memory IC 16Kb 2K x 8 Parallel 100ns 24-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

DS1220AB-100IND中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 16000 B

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 24

封装 DIP-24

外形尺寸

封装 DIP-24

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

DS1220AB-100IND引脚图与封装图

DS1220AB-100IND引脚图

DS1220AB-100IND封装图

DS1220AB-100IND封装焊盘图

在线购买DS1220AB-100IND

型号： DS1220AB-100IND

制造商： Maxim Integrated 美信

描述：16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM

替代型号DS1220AB-100IND

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DS1220AB-100IND Maxim Integrated 美信	当前型号	当前型号
DS1220AD-100IND+ 美信	类似代替	DS1220AB-100IND和DS1220AD-100IND+的区别
DS1220AB-100IND+ 美信	类似代替	DS1220AB-100IND和DS1220AB-100IND+的区别
DS1220AB-100+ 美信	类似代替	DS1220AB-100IND和DS1220AB-100+的区别