DS1330WP-100IND概述
IC NVSRAM 256Kbit 100NS 34PCM
NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb（32K x 8） 并联 100 ns 34-PowerCap 模块
得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
贸泽:
NVRAM
DS1330WP-100IND中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 256000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerCap-34
外形尺寸
长度 23.5 mm
宽度 25.02 mm
高度 2.03 mm
封装 PowerCap-34
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DS1330WP-100IND引脚图与封装图 
在线购买DS1330WP-100IND
替代型号DS1330WP-100IND
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DS1330WP-100IND Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1330WP-100IND+ 美信 | 类似代替 | DS1330WP-100IND和DS1330WP-100IND+的区别 |