DS1250AB-70

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DS1250AB-70概述

IC NVSRAM 4Mbit 70NS 32EDIP

Memory IC 4Mb 512K x 8 Parallel 70ns


得捷:
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP


贸泽:
NVRAM 4096K NV SRAM


罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 5V 32-Pin EDIP


DS1250AB-70中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 4.75V min

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70 ns

内存容量 500000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

电源电压Max 5.25 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

长度 43.69 mm

宽度 18.8 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

DS1250AB-70引脚图与封装图
DS1250AB-70引脚图
DS1250AB-70封装图
DS1250AB-70封装焊盘图
在线购买DS1250AB-70
型号: DS1250AB-70
描述:IC NVSRAM 4Mbit 70NS 32EDIP
替代型号DS1250AB-70
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DS1250AB-70

Maxim Integrated 美信

当前型号

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DS1250AB-70+

美信

完全替代

DS1250AB-70和DS1250AB-70+的区别

DS1250AB-70IND+

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完全替代

DS1250AB-70和DS1250AB-70IND+的区别

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