IC NVSRAM 2Mbit 70NS 40EDIP
Memory IC 2Mb 128K x 16 Parallel 70ns
得捷:
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP
贸泽:
NVRAM
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 70.0 GHz
存取时间 70 ns
内存容量 2000000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 40
封装 DIP-40
长度 53.72 mm
宽度 18.29 mm
高度 8.13 mm
封装 DIP-40
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DS1258Y-70 Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1258AB-100# 美信 | 功能相似 | DS1258Y-70和DS1258AB-100#的区别 |
DS1258W-100IND 美信 | 功能相似 | DS1258Y-70和DS1258W-100IND的区别 |
DS1258W-100IND# 美信 | 功能相似 | DS1258Y-70和DS1258W-100IND#的区别 |