IC NVSRAM 8Mbit 100NS 36DIP
NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 8Mb（1M x 8） 并联 100 ns 36-EDIP
得捷:
IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
贸泽:
NVRAM 3.3V 8M NV SRAM
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 1000000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
安装方式 Through Hole
引脚数 36
封装 EDIP-36
长度 53.34 mm
宽度 18.8 mm
高度 10.29 mm
封装 EDIP-36
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DS1265W-100IND Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1265W-100IND+ 美信 | 类似代替 | DS1265W-100IND和DS1265W-100IND+的区别 |
DS1265W-100 美信 | 类似代替 | DS1265W-100IND和DS1265W-100的区别 |
DS1265AB-100 美信 | 类似代替 | DS1265W-100IND和DS1265AB-100的区别 |