DS1258Y-100参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1258Y-100概述

IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 2Mb 128K x 16 Parallel 100ns 40-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

DS1258Y-100中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 2000000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 40

封装 DIP-40

外形尺寸

封装 DIP-40

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

DS1258Y-100引脚图与封装图

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型号： DS1258Y-100

描述：IC NVSRAM 2Mbit 100NS 40EDIP

替代型号DS1258Y-100