1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAM
NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 1Mb(128K x 8) 并联 32-EDIP
得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
贸泽:
NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile
电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max
时钟频率 70.0 GHz
存取时间 70 ns
内存容量 125000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.75V ~ 5.25V
电源电压Max 5.25 V
电源电压Min 4.75 V
安装方式 Through Hole
引脚数 32
封装 DIP-32
长度 43.69 mm
宽度 18.8 mm
高度 9.4 mm
封装 DIP-32
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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DS1245AB-70 Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1245AB-70+ 美信 | 完全替代 | DS1245AB-70和DS1245AB-70+的区别 |
DS1245Y-70+ 美信 | 类似代替 | DS1245AB-70和DS1245Y-70+的区别 |
DS1245AB-70IND+ 美信 | 类似代替 | DS1245AB-70和DS1245AB-70IND+的区别 |