IC NVSRAM 16Mbit 100NS 36EDIP
Memory IC 16Mb 2M x 8 Parallel 100ns 36-EDIP
得捷:
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP
贸泽:
NVRAM 16M NV SRAM
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 16000000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 36
封装 EDIP-36
长度 53.34 mm
宽度 18.8 mm
高度 10.29 mm
封装 EDIP-36
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
DS1270Y-100 Maxim Integrated 美信 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1270Y-70# 美信 | 类似代替 | DS1270Y-100和DS1270Y-70#的区别 |
DS1270Y-70IND# 美信 | 类似代替 | DS1270Y-100和DS1270Y-70IND#的区别 |
DS1270W-100IND 美信 | 类似代替 | DS1270Y-100和DS1270W-100IND的区别 |