DS1250ABP-100参数规格_中文资料_数据手册PDF

DS1250ABP-100概述

IC NVSRAM 4Mbit 100NS 34PCM

Memory IC 4Mb 512K x 8 Parallel 100ns

得捷:
IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP

贸泽:
NVRAM 4096K NV SRAM

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 5V 34-Pin PowerCap Module

罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 5V 34-Pin PowerCap Module

DS1250ABP-100中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 4000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerCap-34

外形尺寸

长度 23.5 mm

宽度 25.02 mm

高度 2.03 mm

封装 PowerCap-34

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

DS1250ABP-100引脚图与封装图

在线购买DS1250ABP-100

型号： DS1250ABP-100

描述：IC NVSRAM 4Mbit 100NS 34PCM

替代型号DS1250ABP-100