DS1270AB-100

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DS1270AB-100概述

Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDMA36, 0.74INCH, DIP-36

Memory IC 16Mb 2M x 8 Parallel 100ns 36-EDIP


得捷:
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP


贸泽:
NVRAM 16M NV SRAM


DS1270AB-100中文资料参数规格
技术参数

存取时间 100 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

封装 EDIP-36

外形尺寸

长度 53.34 mm

宽度 18.8 mm

高度 10.29 mm

封装 EDIP-36

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

DS1270AB-100引脚图与封装图
DS1270AB-100引脚图
DS1270AB-100封装图
DS1270AB-100封装焊盘图
在线购买DS1270AB-100
型号: DS1270AB-100
描述:Non-Volatile SRAM Module, 2MX8, 100ns, CMOS, PDMA36, 0.74INCH, DIP-36
替代型号DS1270AB-100
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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