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DS1270AB-70图片1

DS1270AB-70图片2

DS1270AB-70概述

IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP

Memory IC 16Mb 2M x 8 Parallel 70ns 36-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

贸泽:
NVRAM 16M NV SRAM

DS1270AB-70中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70 ns

内存容量 16000000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 36

封装 DIP-36

外形尺寸

长度 53.34 mm

宽度 18.8 mm

高度 10.29 mm

封装 DIP-36

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

DS1270AB-70引脚图与封装图

DS1270AB-70引脚图

DS1270AB-70封装图

DS1270AB-70封装焊盘图

在线购买DS1270AB-70

型号： DS1270AB-70

制造商： Maxim Integrated 美信

描述：IC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP

替代型号DS1270AB-70

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
DS1270AB-70 Maxim Integrated 美信	当前型号	当前型号
DS1270AB-70# 美信	完全替代	DS1270AB-70和DS1270AB-70#的区别
DS1270AB-70IND# 美信	类似代替	DS1270AB-70和DS1270AB-70IND#的区别
DS1270W-150 美信	类似代替	DS1270AB-70和DS1270W-150的区别